BSP613

Fabricante:    Infineon    
Categoria do produto:    MOSFET    
RoHS:     Detalhes    
Tecnologia:    Si    
Estilo de montagem:    SMD/SMT    
Pacote/Caso:    SOT-223-4    
Polaridade do Transistor:    Canal P    
Número de canais:    1 Canal    
Vds - Tensão de ruptura da fonte de drenagem:    60 V    
Id - Corrente de Drenagem Contínua:    2,9 A    
Rds On - Resistência à Fonte de Drenagem:    130 mOhms    
Vgs - Tensão de Fonte do Portão:    - 20 V, + 20 V    
Vgs th - Tensão limite da fonte do portão:    2,1 V    
Qg - Carga do Portão:    22 nC    
Temperatura Mínima de Operação:    - 55 C    
Temperatura máxima de operação:    + 150 C    
Pd - Dissipação de Energia:    1,8 W    
Modo de canal:    Melhoria    
Pacote:    Carretel    
Pacote:    Fita de corte    
Pacote:    MouseReel    
Marca:    Tecnologias Infineon    
Configuração:    Solteiro    
Tempo de outono:    7 ns    
Transcondutância Direta - Min:    2,7 S    
Altura:    1,6 mm    
Comprimento:    6,5 mm    
Tipo de produto:    MOSFET    
Tempo de Ascensão:    9 ns    
Série:    BSP613    
Quantidade do pacote de fábrica:    1000    
Subcategoria:    MOSFETs    
Tipo de transistor:    1 Canal P    
Tempo Típico de Atraso de Turn-Off:    26 ns    
Tempo de atraso típico de ativação:    6,7 ns    
Largura:    3,5 mm    
Parte # Aliases:    SP001058788 BSP613PH6327XTSA1    
Peso Unitário:    112 mg